В соответствии со статьей 76-6 Конституции Приднестровской Молдавской Республики, Конституционным законом Приднестровской Молдавской Республики от 30 ноября 2011 года № 224-КЗ-V «О Правительстве Приднестровской Молдавской Республики» (САЗ 11-48), Законом Приднестровской Молдавской Республики от 29 ноября 2007 года № 351-З-IV «О науке и государственной научно-технической политике Приднестровской Молдавской Республики» (САЗ 07-49), Постановлением Правительства Приднестровской Молдавской Республики от 5 мая 2020 года № 144
«Об утверждении Положения о порядке формирования, утверждения
и реализации государственного заказа на проведение научно-исследовательских работ, опытно-конструкторских и технологических работ» (САЗ 20-19) с изменениями и дополнениями, внесенными постановлениями Правительства Приднестровской Молдавской Республики от 13 октября
2020 года № 354 (САЗ 20-42), от 10 декабря 2020 года № 437 (САЗ 20-50),
от 11 октября 2021 года № 322 (САЗ 21-41), от 22 июля 2022 года № 274
(САЗ 22-28), от 15 марта 2023 года № 87 (САЗ 23-11), в целях обеспечения проведения научно-исследовательских работ, опытно-конструкторских
и технологических работ в 2024 году:
- Внести в Распоряжение Правительства Приднестровской Молдавской Республики от 31 августа 2023 года № 799р «Об утверждении государственного заказа на проведение научно-исследовательских работ, опытно-конструкторских и технологических работ на 2024 год» (САЗ 23-36)
с изменением, внесенным Распоряжением Правительства Приднестровской Молдавской Республики от 5 октября 2023 года № 899р (САЗ 23-40), следующие изменения: - a) подпункт 1) подпункта а) пункта 1 раздела 1 «Новые темы» таблицы Приложения к Распоряжению изложить в следующей редакции:
«
| 1) | Этап 1. Исследование явления биполяронной высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в планарных многослойных структурах типа FeSe/SrTiО3 и в многослойных периодических структурах, образованных чередованием монослоев FeSe и тонких слоев SrTiО3 (ТiO2, SrO, BaO).
Исследование дисперсии пространственно-протяженных фононов в многослойных периодических структурах монослой: FeSe/SrTiО3 FeSe/SrTiО3 (ТiO2, SrO, BaO). Исследование биполяронных состояний и критериев их образования в многослойных периодических структурах и в сверхрешетках, образованных из квазидвумерных полупроводниковых (полуметаллических) и полярных диэлектрических слоев
|
Исследование биполяронных состояний большого радиуса в планарных многослойных структурах типа FeSe/SrTiО3 и в многослойных периодических структурах типа монослой FeSe и сверхтонкие слои SrTiО3 (ТiO2, SrO, BaO), на основе которых будут установлены оптимальные параметры для наблюдения высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) при Тс ~ Ткомн. Определение критериев образования биполяронных состояний с большой энергией связи, в том числе в многослойных периодических структурах и сверхрешетках | I-IV кварталы
2024 года |
172000 | |||
| Подэтап 1. | Получение критериев образования биполяронов с высокими значениями Tс как в МС, так и в СР на основе точного гамильтониана электрон-фононного взаимодействия | I-II кварталы 2024 года | 86 000 | ||||
| Подэтап 2.
|
Исследование механизма и критериев возникновения биполяронов в структурах типа «сэндвич Гинзбурга» с учетом пространственной дисперсии оптических частот | III-IV кварталы 2024 года | 86 000 |
»;
б) подпункт 1) подпункта б) пункта 1 раздела 1 «Новые темы» таблицы Приложения к Распоряжению изложить в следующей редакции:
«
| 1) | Этап 1. Pump-probe методы исследования
оптических функций размерно-ограниченных полупроводниковых структур при больших уровнях возбуждения в экситонной области спектра в эквидистантных и неэквидистантных энергетических системах |
Построение и решение системы нелинейных уравнений, описывающих взаимодействие мощного импульса света с экситонами и биэкситонами в размерно-ограниченных полупроводниках, и зондирование их свойств слабым импульсом в стационарном и нестационарном режимах при различных механизмах возбуждения в эквидистантных и неэквидистантных энергетических системах | I-IV кварталы 2024 года | 172000 | |||
| Подэтап 1. | Получение нелинейных выражений, описывающих законы дисперсии экситон-поляритонов в эквидистантных и неэквидистантных энергетических системах | I-II кварталы 2024 года | 86 000 | ||||
| Подэтап 2. | Исследование свойств абсорбционной и дисперсионной компоненты восприимчивости среды в зависимости от значений параметров системы в эквидистантных и неэквидистантных энергетических системах | III-IV кварталы 2024 года | 86 000 |
»;
в) подпункт 1) подпункта в) пункта 1 раздела 1 «Новые темы» таблицы Приложения к Распоряжению изложить в следующей редакции:
«
| 1) | Этап 1. Влияние поперечного электрического поля на электро-проводность наносистем | Расчет электропроводности в наносистемах при наличии поперечного электрического поля с учетом различных механизмов рассеяния носителей заряда | I-IV кварталы 2024 года | 172000 | |||
| Подэтап 1. | Расчет теории электропроводности наносистем при наличии поперечного электрического поля с учетом различных механизмов рассеяния носителей заряда | I-II кварталы 2024 года | 86 000 | ||||
| Подэтап 2. | Расчет электропроводности в квантовых ямах и проволоках при наличии поперечного электрического поля с учетом различных механизмов рассеяния носителей заряда | III-IV кварталы 2024 года | 86 000 |
»;
г) подпункт 1) подпункта г) пункта 1 раздела 1 «Новые темы» таблицы Приложения к Распоряжению изложить в следующей редакции:
«
| 1) | Этап 1. Синтез соединений и рост кристаллов
в системе ZnP2(1-х) N 2х. Исследование оптических свойств слоистых полупроводников InTe |
1. Разработка технологии синтеза и получение кристаллов твердых растворов в системе
ZnP2(l-x) N2x с запрещенной зоной 1.8 — 1.9эВ и исследование их физико-химических и оптоэлектронных свойств. 2. Выполнение теоретических расчетов электронной структуры кристаллов (кристаллических слоев) твердых растворов в системе ZnP2(l-x) N2x, и на основе полученной зонной структуры проанализированы физико—химические и оптоэлектронные свойства слоистых полупроводников InTe |
I-IV кварталы 2024 года | 172000 | |||
| Подэтап 1.
|
Разработка технологии синтеза и роста кристаллов твердых растворов в системе ZnP2(1-x)N2x. Выполнение теоретических расчетов электронной структуры кристаллов (кристаллических слоев) твердых растворов в системе ZnP2(1-x)N2x. Исследование спектров отражения, пропускания и фотолюминесценции монокристаллов объемных кристаллов теллурида индия в широком диапазоне температур от 300 до 10 К | I-II кварталы 2024 года | 86 000 | ||||
| Подэтап 2. | Экспериментальное и теоретическое исследование физико-химических и оптоэлектронных свойств кристаллов ZnP2(1-x)N2x.
Исследование спектров отражения, пропускания и фотолюминесценции слоев теллурида индия при комнатной и низких температурах и влияние кванторазмерных эффектов на оптические свойства |
III-IV кварталы 2024 года | 86 000 |
»;
д) в графе 6 подпункта б) пункта 3 раздела 1 «Новые темы» таблицы Приложения к Распоряжению слова «I-IV кварталы 2024 года» заменить словами «III-IV кварталы 2024 года»;
е) в графе 7 пункта 14 раздела 2 «Переходящие темы» таблицы Приложения к Распоряжению цифровое обозначение «111 912» заменить цифровым обозначением «114 912».
- Настоящее Распоряжение вступает в силу со дня официального опубликования.
ПРЕДСЕДАТЕЛЬ ПРАВИТЕЛЬСТВА А.РОЗЕНБЕРГ